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值得一提的是，电网大数通过此低温侧壁平行生长可以大规模制备多达10层的堆叠纳米线沟道结构，电网大数其中纳米线的直径、界面形貌和间隔密度可通过氮氧叠层的淀积厚度和刻蚀时间精确调控，从而避免了对高成本Si/GeSi多层叠层外延和极深紫外光刻技术的依赖。图2：有限研堆叠纳米线生长制备基本流程，以及与传统FET器件结构和生长模式的比较。针对此技术挑战，心调南京大学电子学院余林蔚教授和王军转副教授提出利用团队基础原创的平面IPSLS纳米线生长模式，心调在非晶氮化硅（SiN）/氧化硅（SiO）叠层刻蚀侧壁上，通过选择性刻蚀形成高密度引导台阶，平行生长制备出尺寸均匀（Dnw=28+2.4nm）的超高密度（间隔40nm）晶硅纳米线阵列。

通过此技术可以大幅压缩FET器件的沟道投影面积，企业有望应用于利用较低光刻节点技术（例如N65~90纳米）实现等效于N5节点技术的更高器件集成密度。研究发现，局赴据中高密度侧壁沟槽对催化铟颗粒的形成具有显著的调制作用，局赴据中在氮氧叠层侧壁上形成小于铟原子表面扩散长度的沟槽结构是控制纳米线沟道均匀性的关键，同时突出的氮层宽度对调控相邻生长纳米线结构之间的耦合竞争有重要影响。

该项研究工作受到青年千人计划，国家公司国家自然科学基金，江苏省杰出青年基金和双创人才计划资助。

联系人：电网大数余林蔚，[email protected]本文由南京大学电子学院余林蔚教授投稿。2012年1月，有限研英国剑桥大学数学家、菲尔兹奖获得者TimothyGowers发起了一场抵制Elsevier的运动，并有上万名科学家签名响应了不发表、不审核、不当编辑。

简单来说，心调这种方式是德国组成了一个联盟，以联盟的形式跟出版商要一个批发价，从而实现学术期刊上德国作者的论文可以开放获取。（数据来源：企业联合抵制Elsevier，企业科学家们出尔反尔）从目前来看，开放获取仍然不是主流，Sci-Hub也在官方层面上得不到承认，能不能持续存在下去也是一个很大的挑战。

开放获取可以让全球的科研工作者不用付费订阅期刊即可读到作者的研究，局赴据中对于提高作者引用有很大帮助。结果在2016年的一项调查中发现，国家公司研究结果显示，有21%的签名科学家的身份无法识别，19%的科学家自签名以后再没有在任何期刊上发表过任何论文。